芯控源 AGM4N65F 绝对最大值额定值热特性电气特性
2025-04-28
描述:
AGM4N65F结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。
特征:
先进的高密度沟槽技术
低 RDS(ON) 以最小化导电损失
低栅极电荷以实现快速切换
低热阻
100% 进行过雪崩测试
100% 进行过 DVDS 测试
应用:
电子镇流器
电子变压器
开关模式电源
详情请咨询我司业务15986786916
描述:
AGM4N65F结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。
特征:
先进的高密度沟槽技术
低 RDS(ON) 以最小化导电损失
低栅极电荷以实现快速切换
低热阻
100% 进行过雪崩测试
100% 进行过 DVDS 测试
应用:
电子镇流器
电子变压器
开关模式电源
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