新品上市，华普微推出600V半桥驱动器HPD2606X

03月26日电平上市栅极标准电路0评

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03月05日栅极死区内置控制逻辑0评

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03月04日栅极死区内置控制逻辑0评

矽源特ChipSourceTek-PE40P08S是SOP8封装,40V, 8A的P-源Mosfet

03月02日特性栅极Mosfet器件电路0评

福建省晋华集成电路取得半导体器件专利，提高操作表现

02月28日企业显示栅极福建省操作0评

MOS管开关波形异常是怎么回事？

02月26日充放电栅极Vgs开关电压0评

矽源特ChipSourceTek-PE039N03K是TO-252-2L封装,30V,130AN-Mosfet

02月26日栅极强劲电子调控电能0评

宽禁带科技论|香港科技大学陈敬课题组：宽禁带半导体氮化镓、碳化硅的最新研究进展

02月18日栅极Meeting半导体电子陈敬0评

新洁能授权代理 NCEP1505S N沟道超深槽功率MOSFET

02月17日Trench整流栅极技术电源0评

新洁能授权代理 NCE0224AK N沟道增强型功率MOSFET

02月13日栅极设计沟槽电源增强型0评

浮思特 | MOSFET和BJT在电源循环应用中的应用：驱动高侧开关

02月13日栅极电路电源输出开关0评

涉及碳化硅专利，格力电器、芯联集成新动态

02月11日制造整流器栅极导电电子型0评

华润微授权代理商 CS830F A9RD N沟道功率MOSFET

01月24日制造华润微栅极能量电路0评

智芯微电子申请 MOS 管有效沟道长度测试专利，提高测试效率

01月16日企业显示栅极信息长度0评