消息称铠侠因估值分歧过大放弃原定本月 IPO：投资者欲大致砍半到 8 千亿日元

01月28日铠侠NAND闪存IPO0评

SK 海力士宣布量产全球最高的 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存，计划 2025 上半年对外出货

01月28日NANDSk海力士0评

三星 3D NAND 量产提效：光刻胶用量减半，每年节省数十亿韩元

01月28日三星NAND0评

美光下调 10% NAND 闪存产能利用率以应对市场需求放缓

01月28日美光NAND闪存0评

集邦咨询：库存高企需求疲软，2025Q1 NAND 平均合约价预测降 10~15%、DRAM 降 8~13%

01月28日半导体NANDDRAM集邦咨询0评

NAND 闪存过剩预计价格暴跌：消息称三星西安工厂大幅减产，SK 海力士自信增产

01月28日NAND闪存三星西安三星工厂Sk海力士0评

TrendForce：预估三季度 NAND 闪存产品合约价涨幅收窄至 5~10%

01月28日闪存NANDTrendForce集邦咨询0评

三星第 9 代 V-NAND 金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术

01月28日三星NAND0评

业内同等容量最小芯片尺寸，至讯创新 512Mb 工业级 NAND 闪存量产

01月28日至讯创新闪存NAND0评

业内最高容量，铠侠 2Tb QLC 闪存样品出货：位密度较第五代提高 2.3 倍

01月28日铠侠QLCNAND0评

TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

01月28日内存闪存HBMDRAMNAND0评

铠侠宣布日本岩手县北上市 K2 制造大楼完工，2025 年秋季投入运营

01月28日闪存NAND晶圆厂铠侠0评

支持 4800MTs，JEDEC 推出 NAND 闪存接口互操作性标准 JESD230G

01月28日JEDECNAND闪存0评

TrendForce：第三季度 DRAM 内存产业营收 260.2 亿美元，环比增长 13.6%

01月28日DRAM内存NAND芯片0评

TrendForce：NAND 闪存产业 2025Q3 整体营收 176 亿美元，环比增长 4.8%

01月28日闪存NANDTrendForce0评