TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺

01月28日TrendForceHBM内存HBM50评

三星电子准备 HBM3E 内存改进款：针对多个主要客户下代 AI GPU 优化

01月28日三星HBM内存HBM3E0评

三星电子计划于韩国天安市新建封装工厂，扩容 HBM 内存等后端产能

01月28日三星电子封装HBM后端工艺0评

美光新加坡 HBM 内存先进封装工厂动工，2026 年投运

01月28日美光新加坡HBM0评

（更新：三星否认）消息称三星 HBM 内存芯片通过英伟达测试

01月28日英伟达三星电子HBM0评

TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

01月28日内存闪存HBMDRAMNAND0评

积极扩产 HBM 内存与先进封装，消息称美光有意购入友达闲置工厂

01月28日友达美光先进封装HBM0评

双方 HBM 合作首度公开，三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存

01月28日三星电子HBM内存台积电0评

消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙

01月28日HBM内存0评

消息称三星电子 HBM3E 内存性能未达要求，2025 年内难以向英伟达供应

01月28日三星电子HBM内存英伟达0评

SK 海力士被曝赢得博通 HBM 订单，预计明年 1b DRAM 月产能将扩大到 16~17 万片

01月28日HBMSk海力士0评