英飞凌宣布在8英寸SiC技术路线获重大进展

材料来源：英飞凌官网自英飞凌官网获悉，2月13日，英飞凌公开宣布在8英寸SiC技术路线上取得重要进展，首批基于8英寸SiC晶圆的器件产品将于2025年第一季度交付客户。

据悉，这些产品在英飞凌位于奥地利菲拉赫（Villach）的工厂生产，主要面向高压应用领域，包括可再生能源、铁路和电动汽车等。此外，其位于马来西亚居林（Kulim）的制造基地从6英寸晶圆向更大尺寸、更高效率的8英寸晶圆的过渡也按计划顺利进行，新建的Module 3工厂将根据市场需求启动大规模生产。

英飞凌首席运营官Rutger Wijburg表示，碳化硅生产正按计划进行，未来将通过分阶段提高菲拉赫和居林两地的产量，进一步提升成本效益并确保产品质量，满足市场对SiC功率半导体的需求。

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